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摘要： 　　当天（1月8日），大众芯片巨头三星电子最新暴露的功绩炫夸，2025年第四季度的交易利润高达20万亿韩元（约合东谈主民币965亿元），同比大...

　　当天（1月8日），大众芯片巨头三星电子最新暴露的功绩炫夸，2025年第四季度的交易利润高达20万亿韩元（约合东谈主民币965亿元），同比大幅飙涨208%，高于阛阓预期。分析指出，这一功绩主要受益于AI欢乐下的存储芯片加价潮。

　　另外，台积电也传来利好催化。据最新讯息，台积电3nm制程抓续供不应求，有业内东谈主士涌现，台积电本年除调高3nm报价外，已暂时住手3nm新案启动。摩根大通、野村证券均在最新发布的说明中，大幅上调了台积电的宗旨价。

　　四季度交易利润飙涨208%

　　1月8日，三星电子发布了2025年第四季度初步功绩，其中炫夸，公司2025年第四季度的交易利润高达20万亿韩元，较上年同期大幅增长208%，高于LSEG SmartEstimate展望的18万亿韩元。这将是三星有史以来最高的季度交易利润。

　　初步功绩说明炫夸，三星电子第四季度销售额同比增长23%，至93万亿韩元。这是三星单季销售额聚积两个季度冲破80万亿韩元，2025年第三季度的销售额为86万亿韩元。

　　有分析指出，三星电子炸裂的功绩背后是，供应病笃和AI驱动的需求激增推高了传统存储芯片的价钱。

　　里昂证券韩国区盘考主宰Sanjeev Rana暗示，2025年第四季度，DRAM芯片的平均售价环比飞腾超30%，NAND闪存的平均售价环比飞腾了约20%。

　　Counterpoint Research预测，2026年第一季度DDR5价钱还将环比飞腾40%，第二季度将进一步增长20%。DDR5是刻下电脑和处事器禁受的最新一代传统DRAM。

　　另据最新讯息，三星电子与其竞争敌手SK海力士已向处事器、PC及智高手机用DRAM客户提议加价，本年一季度报价将较旧年第四季度大幅飞腾60%—70%。

　　对于存储芯片价钱抓续飞腾的原因，有机构分析称，一方面，芯片产业正转向AI关系芯片的出产，传统存储芯片产能因此受到挤压；另一方面，测验和起先AI模子对传统芯片与高端芯片的需求均在激增。

　　另外，在高带宽存储（HBM）规模，三星电子的发挥也超出阛阓预期。三星首席现实官全永铉此前暗示，公司客户对其下一代HBM芯片（即HBM4）的竞争上风给以高度评价。

　　Counterpoint Research首席盘考分析师Choi Jung-gu暗示，HBM4中禁受的先进1c工艺节点和4nm逻辑工艺，在速率和散热方面齐恬逸了客户的需求，并获取了艰深的遵循。

　　Sanjeev Rana展望，跟着HBM4参加商用阶段，三星电子2026年的HBM出货量将加多两倍。

　　股价方面，三星电子当天股价一度大幅冲高，盘中最欢乐超2%，再度创出历史新高，随后股价大幅回落，最终收跌1.56%。三星电子股价2025年全年的累计涨幅高达125%，创下二十六年来最大年度涨幅。

　　台积电的利好

　　与此同期，台积电也传来重磅催化。据台湾《工商时报》最新报谈，台积电先进制程保管高产能欺诈率，其中3nm制程抓续供不应求。芯片业内东谈主士涌现，台积电本年除调高3nm报价外，已暂时住手3nm新案启动。

　　业内东谈主士分析，主因在于订单满载、现存产能已难以负荷，短期内扩产速率亦难以追上客户需求涌入。台积电正饱读舞仍处于家具贪图初期的客户，径直评估导入2nm制程，以利后续量产与成本竖立。

　　另据摩根大通说明，台积电2nm工艺流片数目达到3nm 同期的1.5倍，并有望凭借2nm工艺拿下大众AI加快器阛阓卓绝95%的份额。

　　摩根大通指出，台积电为布置由 AI 海潮激发的“芯片饥渴”，已制定激进的出产宗旨，商酌至2026年底，2nm工艺的晶圆月产能将达到惊东谈主的140000片。这意味着，高性能估量打算规模将陆续高度依赖台积电的先进支抓。

　　摩根大通预测，2026年将是台积电又一个强盛的增常年，展望其营收将同比增长30%，而2027年也将保管20%以上的增速。这一增长背后的中枢驱能源毫无疑问是AI数据中心需求。

　　摩根大通将2024—2029年数据中心AI收入的复合年增长率（CAGR）预测从53%上调至57%。展望到2029年，数据中心AI业务将占台积电总营收的40%以上（2024年这一比例仅为十几的中位数）。

　　为了布置从2026年延续到2028年的强盛需求，台积电正在开启新一轮的老本开支上行周期。

　　摩根大通预测，台积电2026大哥本开支约为480亿好意思元，2027年将跃升至550亿好意思元，以支抓N2、N3及好意思国工场的扩产。

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