当天(1月8日),世界芯片巨头三星电子最新线路的功绩炫夸,2025年第四季度的买卖利润高达20万亿韩元(约合东谈主民币965亿元),同比大幅飙涨208%,高于商场预期。分析指出,这一功绩主要受益于AI飞腾下的存储芯片加价潮。
另外,台积电也传来利好催化。据最新音尘,台积电3nm制程合手续供不应求,有业内东谈主士炫夸,台积电本年除调高3nm报价外,已暂时罢手3nm新案启动。摩根大通、野村证券均在最新发布的论说中,大幅上调了台积电的倡导价。

四季度买卖利润飙涨208%
1月8日,三星电子发布了2025年第四季度初步功绩,其中炫夸,公司2025年第四季度的买卖利润高达20万亿韩元,较上年同期大幅增长208%,高于LSEG SmartEstimate展望的18万亿韩元。这将是三星有史以来最高的季度买卖利润。
初步功绩论说炫夸,三星电子第四季度销售额同比增长23%,至93万亿韩元。这是三星单季销售额联络两个季度扯后腿80万亿韩元,2025年第三季度的销售额为86万亿韩元。
有分析指出,三星电子炸裂的功绩背后是,供应弥留和AI驱动的需求激增推高了传统存储芯片的价钱。
里昂证券韩国区盘问把握Sanjeev Rana暗示,2025年第四季度,DRAM芯片的平均售价环比高潮超30%,NAND闪存的平均售价环比高潮了约20%。
Counterpoint Research预测,2026年第一季度DDR5价钱还将环比高潮40%,第二季度将进一步增长20%。DDR5是现时电脑和工作器继承的最新一代传统DRAM。
另据最新音尘,三星电子与其竞争敌手SK海力士已向工作器、PC及智高东谈主机用DRAM客户建议加价,本年一季度报价将较客岁第四季度大幅高潮60%—70%。
对于存储芯片价钱合手续高潮的原因,有机构分析称,一方面,芯片产业正转向AI探求芯片的坐蓐,传统存储芯片产能因此受到挤压;另一方面,试验和动手AI模子对传统芯片与高端芯片的需求均在激增。
另外,在高带宽存储(HBM)限制,三星电子的贯通也超出商场预期。三星首席试验官全永铉此前暗示,公司客户对其下一代HBM芯片(即HBM4)的竞争上风予以高度评价。
Counterpoint Research首席盘问分析师Choi Jung-gu暗示,HBM4中继承的先进1c工艺节点和4nm逻辑工艺,在速率和散热方面皆知足了客户的需求,并得回了精采的适度。
网址:www.nasinet.comSanjeev Rana展望,跟着HBM4插足商用阶段,三星电子2026年的HBM出货量将增多两倍。
股价方面,三星电子当天股价一度大幅冲高,盘中最欢叫超2%,再度创出历史新高,随后股价大幅回落,最终收跌1.56%。三星电子股价2025年全年的累计涨幅高达125%,创下二十六年来最大年度涨幅。
台积电的利好
与此同期,台积电也传来重磅催化。据台湾《工商时报》最新报谈,台积电先进制程保管高产能期骗率,其中3nm制程合手续供不应求。芯片业内东谈主士炫夸,台积电本年除调高3nm报价外,已暂时罢手3nm新案启动。
业内东谈主士分析,主因在于订单满载、现存产能已难以负荷,短期内扩产速率亦难以追上客户需求涌入。台积电正饱读舞仍处于居品蓄意初期的客户,径直评估导入2nm制程,以利后续量产与成本竖立。
另据摩根大通论说,台积电2nm工艺流片数目达到3nm 同期的1.5倍,并有望凭借2nm工艺拿下世界AI加快器商场跳跃95%的份额。
摩根大通指出,台积电为应酬由 AI 波涛激勉的“芯片饥渴”,已制定激进的坐蓐倡导,筹谋至2026年底,2nm工艺的晶圆月产能将达到惊东谈主的140000片。这意味着,高性能蓄意限制将陆续高度依赖台积电的先进援救。
摩根大通预测,2026年将是台积电又一个强盛的增常年,展望其营收将同比增长30%,而2027年也将保管20%以上的增速。这一增长背后的中枢驱能源毫无疑问是AI数据中心需求。
摩根大通将2024—2029年数据中心AI收入的复合年增长率(CAGR)预测从53%上调至57%。展望到2029年,数据中心AI业务将占台积电总营收的40%以上(2024年这一比例仅为十几的中位数)。
为了应酬从2026年延续到2028年的强盛需求,台积电正在开启新一轮的本钱开支上行周期。
摩根大通预测,台积电2026年本钱开支约为480亿好意思元,2027年将跃升至550亿好意思元,以支合手N2、N3及好意思国工场的扩产。
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